RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Confronto
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB vs Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
44
Intorno -2% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
44
43
Velocità di lettura, GB/s
13.0
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
10600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2069
1889
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Mushkin 994083 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
INTENSO 4GB
Kingston KHX2133C11S3L/4G 4GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link