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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Comparez
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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Raisons de considérer
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.6
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
3.6
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
31
30
Vitesse de lecture, GB/s
6.6
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
3.6
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
8500
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
921
1479
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB Comparaison des RAM
AMD R534G1601U1S 4GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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