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Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
总分
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.6
6.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.8
3.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
6.6
10.6
写入速度,GB/s
3.6
6.8
内存带宽,mbps
8500
8500
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
921
1479
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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