RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
32
Autour de 6% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
2739
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB Comparaison des RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link