RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
30
Autour de -7% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
3316
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link