RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
1832
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673GB0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link