RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparez
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.8
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.7
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
30
30
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
6.8
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1479
1832
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link