RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.8
6.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.7
10.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8500
Por volta de 2.26 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
30
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
6.8
6.6
Largura de banda de memória, mbps
8500
19200
Other
Descrição
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1479
1832
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2356WS.001 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link