RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.8
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1832
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link