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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
11
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1393
3238
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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