RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Comparar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
43
Por volta de -43% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
11
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.4
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
43
30
Velocidade de leitura, GB/s
11.0
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
13.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1393
3238
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Comparações de RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2133C10 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link