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Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Confronto
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
11
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
11.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1393
3238
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
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