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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Comparez
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
43
Autour de 37% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
27
43
Vitesse de lecture, GB/s
12.2
11.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
7.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
12800
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1763
1823
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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