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Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Compara
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Puntuación global
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En 37% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.2
11.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR3
Latencia en PassMark, ns
27
43
Velocidad de lectura, GB/s
12.2
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
12800
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1763
1823
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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