RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Porównaj
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB vs Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
43
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
27
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.2
11.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1763
1823
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/8G 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston ACR128X64D2S800C6 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link