Comparaison de la RAM SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Note globale

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

14.2 7.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.6 4.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 10600

Autour de 2.01% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

28 46

Autour de -64% latence réduite

Liste complète des spécifications techniques

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2717 1291

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns