Porównanie pamięci RAM SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Wynik ogólny

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

14.2 7.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.6 4.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 10600

Wokół strony 2.01% większa szerokość pasma

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 46

Wokół strony -64% niższe opóźnienia

Pełna lista specyfikacji technicznych

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2717 1291

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns