Comparação RAM SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Pontuação geral

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

14.2 7.9

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.6 4.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 10600

Por volta de 2.01% maior largura de banda

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

28 46

Por volta de -64% menor latência

Lista completa de especificações técnicas

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2717 1291

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns