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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

総合得点
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB 考慮すべき理由
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.2 left arrow 7.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.6 left arrow 4.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01% 高帯域
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 46
    周辺 -64% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT35151BFR8C-H9 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    14.2 left arrow 7.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.6 left arrow 4.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
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