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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Comparez
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Note globale
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
13.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
42
Autour de -2% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
42
41
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
13.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2152
2322
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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