RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.7
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
42
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
8.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
42
41
Velocità di lettura, GB/s
13.7
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
2322
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link