SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    13.7 left arrow 13.3
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 42
    Около -2% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 8.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 10600
    Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 41
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 13.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.3 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2152 left arrow 2322
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения