Comparación de la memoria RAM SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Puntuación global

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Razones a tener en cuenta
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

41 42

En -2% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s

8.5 8.3

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

12800 10600

En 1.21 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tiempos / Velocidad del reloj

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2152 2322

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns