RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
44
Autour de -120% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
20
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3022
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link