RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
44
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3341
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link