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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
44
Autour de -42% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.2
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
31
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
3341
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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