RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Comparez
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Note globale
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Note globale
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,978.2
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
66
Autour de -144% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
27
Vitesse de lecture, GB/s
2,929.1
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,978.2
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
511
2288
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link