RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,978.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
66
Wokół strony -144% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,929.1
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,978.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
511
2288
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link