RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,978.2
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
66
Intorno -144% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
27
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2288
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link