RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Comparez
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Note globale
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
63
101
Autour de 38% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.7
1,447.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
101
Vitesse de lecture, GB/s
3,231.0
12.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,447.3
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
478
1382
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link