Porównanie pamięci RAM STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Wynik ogólny

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

63 101

Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

3 12.1

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Większa szybkość zapisu, GB/s

6.7 1,447.3

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 5300

Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

478 1382

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns