RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сравнить
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
-->
Средняя оценка
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
63
101
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.7
1,447.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
101
Скорость чтения, Гб/сек
3,231.0
12.1
Скорость записи, Гб/сек
1,447.3
6.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
478
1382
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link