Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Note globale
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    11.7 left arrow 11.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    7.2 left arrow 6.1
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    30 left arrow 31
    Autour de -3% latence réduite
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    17000 left arrow 12800
    Autour de 1.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    31 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    11.7 left arrow 11.1
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    7.2 left arrow 6.1
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Description
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Timings / Vitesse d'horloge
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    1990 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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