Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Pontuação geral
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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Strontium EVMT8G1600U86S 8GB

Pontuação geral
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.7 left arrow 11.1
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.2 left arrow 6.1
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    30 left arrow 31
    Por volta de -3% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 12800
    Por volta de 1.33 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    31 left arrow 30
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.7 left arrow 11.1
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.2 left arrow 6.1
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1990 left arrow 1254
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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