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Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
比较
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
总分
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
总分
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.7
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
31
左右 -3% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
31
30
读取速度,GB/s
11.7
11.1
写入速度,GB/s
7.2
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1990
1254
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB RAM的比较
Strontium EVMT8G1333U86S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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