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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
12.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
75
87
Autour de -16% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
75
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
12.7
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
1640
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
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