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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
12.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
75
87
左右 -16% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
75
读取速度,GB/s
3,155.6
12.7
写入速度,GB/s
870.4
6.6
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
1640
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
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Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
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