RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Comparez
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Note globale
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Note globale
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
53
Autour de -51% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.3
1,590.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
53
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,726.4
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,590.1
10.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
522
2155
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Comparaison des RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Comparaison des RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link