RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
53
Wokół strony -51% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
1,590.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,726.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,590.1
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
522
2155
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Porównanie pamięci RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link