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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Comparez
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Note globale
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Note globale
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
30
Autour de 17% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.5
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.5
11.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2180
1832
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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