Comparaison de la RAM TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Note globale

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 30

Autour de 17% latence réduite

Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16 12.5

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

12.3 8.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

23400 10600

Autour de 2.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2180 2709

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns