TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Note globale
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

Note globale
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Différences

  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    25 left arrow 30
    Autour de 17% latence réduite
  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    16 left arrow 12.5
    Valeur moyenne dans les tests
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.3 left arrow 8.4
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    23400 left arrow 10600
    Autour de 2.21 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    25 left arrow 30
  • Vitesse de lecture, GB/s
    12.5 left arrow 16.0
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    8.4 left arrow 12.3
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • Description
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Vitesse d'horloge
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    2180 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons