RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Confronto
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
30
Intorno 17% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
30
Velocità di lettura, GB/s
12.5
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2180
2709
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B2873FHS-CH9 1GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link