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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

総合得点
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TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB

総合得点
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB 考慮すべき理由
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 30
    周辺 17% 低遅延
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16 left arrow 12.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.3 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    23400 left arrow 10600
    周辺 2.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    12.5 left arrow 16.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 12.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 23400
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2180 left arrow 2709

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