Comparaison de la RAM Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Note globale

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Raisons de considérer
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 44

Autour de -47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.4 10.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

13.1 7.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

23400 10600

Autour de 2.21 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1853 3310

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns