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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
総合得点
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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仕様
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
44
周辺 -47% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.4
10.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
7.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
23400
10600
周辺 2.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
44
30
読み出し速度、GB/s
10.9
16.4
書き込み速度、GB/秒
7.5
13.1
メモリ帯域幅、mbps
10600
23400
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1853
3310
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