RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Porównaj
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
44
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
10600
Wokół strony 2.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
44
30
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
23400
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1853
3310
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMR1870EC58E9F1333 4GB
Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link