RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Confronto
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
94
Intorno -176% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
1,165.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
94
34
Velocità di lettura, GB/s
1,882.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,165.4
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
305
2584
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link