RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
46
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
23
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3086
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link