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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Confronto
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Motivi da considerare
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.2
6.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.7
10.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2045
2764
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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