RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Comparez
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Note globale
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
27
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.7
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2045
2764
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparaison des RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Team Group Inc. 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link