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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.2
6.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.2
Velocidade de escrita, GB/s
6.7
10.2
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2045
2764
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Comparações de RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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