RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
6.7
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2764
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link